Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 9.7A
Carcasa: TO220F
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de transferencia: 550mΩ
Montaje: THT
Carga de puerta: 40nC
Clase de canal: enriquecido
Información adicional