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Ref. 100.STY60NM50
STY60NM50 N-CHANNEL 500V, 0.045?, 60A, ZENER-PROTECTED, POWER MOSFET
Stock: 22 Ref. 100.STY60NM50
Precio (IVA incluido) 13,903 €
| Unidades | ≥ 4 | ≥ 6 | ≥ 8 | ≥ 10 |
| DescuentoDescuentoprecio | -3%-0,41713,486 | -5%-0,69513,208 | -7%-0,97312,930 | -10%-1,39012,513 |
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
Id: corriente de drenaje continuo: 60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3 V
Qg (carga de compuertas): 266 nC
Temperatura operativa mínima: - 65 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Pd (disipación de potencia): 560 W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Serie: STY60NM50
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 46 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 58 ns
150
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de conexión típico: 51 ns
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
Id: corriente de drenaje continuo: 60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3 V
Qg (carga de compuertas): 266 nC
Temperatura operativa mínima: - 65 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Pd (disipación de potencia): 560 W
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Nombre comercial: MDmesh
Serie: STY60NM50
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 46 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 58 ns
150
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de conexión típico: 51 ns
